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信息科学与技术学院 [1]
物质科学与技术学院 [1]
作者
刘伟民 [1]
邹新波 [1]
陈瑜 [1]
文献类型
期刊论文 [2]
发表日期
2024 [2]
出处
ACS PHOTON... [1]
APPLIED PH... [1]
语种
英语 [2]
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Revealing the Fundamental Limit of Gate-Controlled Ultrafast Charge Transfer in Graphene-MoS
2
Heterostructures
期刊论文
ACS PHOTONICS, 2024, 卷号: 11, 期号: 12, 页码: 5170-5179
作者:
Wang, Chen
;
Chen, Yu
;
Ma, Qiushi
;
Suo, Peng
;
Sun, Kaiwen
Adobe PDF(3184Kb)
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收藏
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浏览/下载:187/4
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提交时间:2024/12/17
charge transfer
van der Waals heterostructures
gate-controlled
transient absorption spectroscopy
terahertz spectroscopy
dynamics
Trapping mechanism transition of γ-ray irradiation on p-GaN gate stack on gate applying voltage swing
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2024, 卷号: 125, 期号: 13
作者:
Zhu, Junyan
;
Ding, Jihong
;
Ouyang, Keqing
;
Zou, Xinbo
;
Ma, Hongping
Adobe PDF(2565Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:252/1
|
提交时间:2024/10/08
Aluminum gallium nitride
Electron traps
Gamma rays
Gates (transistor)
High electron mobility transistors
Irradiation
Junction gate field effect transistors
Threshold voltage
'current
AlGaN
Gate stacks
Mg-doping
Total ionizing dose effects
Trap density
Trap state
Trapping mechanisms
Voltage swings
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