消息
×
loading..
KMS

浏览/检索结果: 共2条,第1-2条 帮助

已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
Revealing the Fundamental Limit of Gate-Controlled Ultrafast Charge Transfer in Graphene-MoS2 Heterostructures 期刊论文
ACS PHOTONICS, 2024, 卷号: 11, 期号: 12, 页码: 5170-5179
作者:  Wang, Chen;  Chen, Yu;  Ma, Qiushi;  Suo, Peng;  Sun, Kaiwen
Adobe PDF(3184Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:187/4  |  提交时间:2024/12/17
Trapping mechanism transition of γ-ray irradiation on p-GaN gate stack on gate applying voltage swing 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2024, 卷号: 125, 期号: 13
作者:  Zhu, Junyan;  Ding, Jihong;  Ouyang, Keqing;  Zou, Xinbo;  Ma, Hongping
Adobe PDF(2565Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:252/1  |  提交时间:2024/10/08
  • 首页
  • 上一页
  • 1
  • 下一页
  • 末页