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作者
薛加民 [1]
邹新波 [1]
汪康 [1]
文献类型
期刊论文 [2]
发表日期
2024 [1]
2022 [1]
出处
ACS APPLIE... [1]
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WOS被引频次降序
Trapping mechanism transition of γ-ray irradiation on p-GaN gate stack on gate applying voltage swing
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2024, 卷号: 125, 期号: 13
作者:
Zhu, Junyan
;
Ding, Jihong
;
Ouyang, Keqing
;
Zou, Xinbo
;
Ma, Hongping
Adobe PDF(2565Kb)
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浏览/下载：286/2
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提交时间：2024/10/08
Aluminum gallium nitride
Electron traps
Gamma rays
Gates (transistor)
High electron mobility transistors
Irradiation
Junction gate field effect transistors
Threshold voltage
'current
AlGaN
Gate stacks
Mg-doping
Total ionizing dose effects
Trap density
Trap state
Trapping mechanisms
Voltage swings
Voltage-controlled
Natural p-n Junctions at the MoS2 Flake Edges
期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2022
作者:
Wang, Kang
;
Taniguchi, Takashi
;
Watanabe, Kenji
;
Xue, Jiamin
Adobe PDF(3670Kb)
|
收藏
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浏览/下载：314/0
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提交时间：2022/09/05
field effects transistor
edge states
p-n junction
contact-mode scanning tunneling spectroscopy
band profile
photovoltaic effect
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