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研究单元&专题
信息科学与技术学院 [1]
作者
寇煦丰 [1]
陈人和 [1]
王子睿 [1]
文献类型
期刊论文 [1]
发表日期
2024 [1]
出处
IEEE TRANS... [1]
语种
英语 [1]
资助项目
National K... [1]
National N... [1]
Shanghai R... [1]
资助机构
收录类别
EI [1]
SCI [1]
状态
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A Read Margin Enhancement Circuit With Dynamic Bias Optimization for MRAM
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS II: EXPRESS BRIEFS, 2024, 卷号: 71, 期号: 8, 页码: 3905-3909
作者:
Chen, Renhe
;
Lee, Albert
;
Wang, Zirui
;
Wu, Di
;
Kou, Xufeng
Adobe PDF(2470Kb)
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浏览/下载：491/7
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提交时间：2023/11/22
Magnetic random access memory
read margin enhancement
tunneling magnetoresistance ratio
readout mechanism
bias voltage optimization
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