×
验证码:
换一张
忘记密码？
记住我
×
统一认证登录
登录
中文版
|
English
上海科技大学知识管理系统
ShanghaiTech University Knowledge Management System
统一认证登录
登录
注册
ALL
ORCID
题名
作者
发表日期
关键词
文献类型
DOI
出处
存缴日期
收录类别
出版者
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
知识整合
学习讨论厅
在结果中检索
研究单元&专题
信息科学与技术学院 [1]
作者
寇煦丰 [1]
陈人和 [1]
王子睿 [1]
文献类型
期刊论文 [1]
发表日期
2024 [1]
出处
IEEE TRANS... [1]
语种
英语 [1]
资助项目
National K... [1]
National N... [1]
Shanghai R... [1]
资助机构
收录类别
EI [1]
SCI [1]
状态
已发表 [1]
×
知识图谱
KMS
反馈留言
浏览/检索结果:
共1条，第1-1条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页：
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式：
请选择
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
作者升序
作者降序
提交时间升序
提交时间降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
A Read Margin Enhancement Circuit With Dynamic Bias Optimization for MRAM
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS II: EXPRESS BRIEFS, 2024, 卷号: PP, 期号: 99, 页码: 3905-3909
作者:
Chen, Renhe
;
Lee, Albert
;
Wang, Zirui
;
Wu, Di
;
Kou, Xufeng
Adobe PDF(2470Kb)
|
收藏
|
浏览/下载：485/7
|
提交时间：2023/11/22
Magnetic random access memory
read margin enhancement
tunneling magnetoresistance ratio
readout mechanism
bias voltage optimization
首页
上一页
1
下一页
末页
