消息
×
loading..
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
统一认证登录
登录
中文版
|
English
上海科技大学知识管理系统
ShanghaiTech University Knowledge Management System
统一认证登录
登录
注册
ALL
ORCID
题名
作者
发表日期
关键词
文献类型
DOI
出处
存缴日期
收录类别
出版者
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
知识整合
学习讨论厅
在结果中检索
研究单元&专题
物质科学与技术学院 [2]
作者
郭艳峰 [1]
陆卫 [1]
陈效双 [1]
郭万龙 [1]
袁健 [1]
文献类型
期刊论文 [2]
发表日期
2024 [1]
2021 [1]
出处
ACS APPLIE... [1]
ACS NANO [1]
语种
英语 [2]
资助项目
Japan Soci... [1]
National K... [1]
National N... [1]
Science an... [1]
资助机构
收录类别
EI [2]
SCI [1]
SCIE [1]
×
知识图谱
KMS
反馈留言
浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
Ferroelectric Switching Behavior in Two-Dimensional Semiconductor α-In2Se3 for Nonvolatile Memory
期刊论文
ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS, 2024, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 2507-2513
作者:
Li, Zhengxin
;
Chen, Yangyang
;
Yuan, Jian
;
Xu, Wanting
;
Yang, Xiaoqing
Adobe PDF(5006Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:278/0
|
提交时间:2024/04/26
Electric fields
Ferroelectric materials
Ferroelectricity
Field effect transistors
Graphene
Memristors
Nonvolatile storage
Ferroelectric switching
Few-layer graphene
Memristor
Non-volatile memory
Out-of-plane
Switching behaviors
Two-dimensional materials
Two-dimensional semiconductors
Vdw heterostructure
Α-in2se3
Colossal Terahertz Photoresponse at Room Temperature: A Signature of Type-II Dirac Fermiology
期刊论文
ACS NANO, 2021, 卷号: 15, 期号: 3, 页码: 5138-5146
作者:
Xu, Huang
;
Fei, Fucong
;
Chen, Zhiqingzi
;
Bo, Xiangyan
;
Sun, Zhe
Adobe PDF(3477Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:538/0
|
提交时间:2021/08/16
Dirac semimetal
fermiology
angle-resolved photoemission spectroscopy
terahertz detection
vdW heterostructure
首页
上一页
1
下一页
末页