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期刊论文 [2]
发表日期
2021 [1]
2018 [1]
出处
CHINESE PH... [1]
INFRARED P... [1]
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英语 [2]
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Preparation of AlN film grown on sputter-deposited and annealed AlN buffer layer via HVPE
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2021, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: #VALUE!
作者:
Li, Di-Di
;
Chen, Jing-Jing
;
Su, Xu-Jun
;
Huang, Jun
;
Niu, Mu-Tong
Adobe PDF(1160Kb)
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浏览/下载:288/4
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提交时间:2021/04/01
hydride vapor phase epitaxy (HVPE)
AlN
threading dislocation (TD)
sputter-deposition
Optical properties of beryllium-doped GaSb epilayers grown on GaAs substrate
期刊论文
INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 90, 页码: 115-121
作者:
Deng, Zhuo
;
Chen, Baile
;
Chen, Xiren
;
Shao, Jun
;
Gong, Qian
Adobe PDF(799Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:612/1
|
提交时间:2018/04/11
Gallium antimonite
Beryllium doping
Photoluminescence
Threading dislocation
Strain
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