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Stability, electronic, and mechanical properties of Si/Ge substitutionally doped T2CO2 (T = Zr and Hf) 期刊论文
SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2022, 卷号: 353
作者:  Wang, Changying;  Guo, Yongliang;  Yin, Yaru;  Jin, Xuechen;  Zhu, Hong
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Substitutionally Doped MoSe2 for High-Performance Electronics and Optoelectronics 期刊论文
SMALL, 2021
作者:  Zhong, Fang;  Ye, Jiafu;  He, Ting;  Zhang, Lili;  Wang, Zhen
Adobe PDF(2146Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：286/0  |  提交时间：2021/10/29
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