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汪辉 [1]
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殷亚茹 [1]
文献类型
期刊论文 [3]
会议论文 [1]
发表日期
2022 [2]
2021 [1]
2017 [1]
出处
2022 CHINA... [1]
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期刊影响因子升序
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Stability, electronic, and mechanical properties of Si/Ge substitutionally doped T2CO2 (T = Zr and Hf)
期刊论文
SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2022, 卷号: 353
作者:
Wang, Changying
;
Guo, Yongliang
;
Yin, Yaru
;
Jin, Xuechen
;
Zhu, Hong
Adobe PDF(13238Kb)
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浏览/下载:295/0
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提交时间:2022/07/15
Calculations
Energy gap
Mechanical stability
Silicon
Stability criteria
System stability
Tensile strain
Thermodynamic stability
Zirconium
2D-hexagonal
Band gap narrowing
First principle calculations
First principle method
Gap values
Hexagonal crystals
Layer materials
Si/Ge
Substitutional doping
T2CO2
Silicon Phosphorus Process Uniformity Improvement Study in Advanced Node
会议论文
2022 CHINA SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INTERNATIONAL CONFERENCE, CSTIC 2022, Shanghai, China, June 20, 2022 - June 21, 2022
作者:
Huojin Tu
;
Hui Wang
;
Li Peng
;
Jiaqi Hong
;
Wangxin Nie
Adobe PDF(3557Kb)
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浏览/下载:264/0
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提交时间:2022/09/30
Gases
MOSFET devices
Phosphorus
Si-Ge alloys
Silicon compounds
Silicon wafers
Carrier gas
CMOS devices
Global uniformity
Performance
Process uniformity
Scaling down
Silicon phosphorus
Source and drains
Source region
Wafer uniformity
Cepstral scanning transmission electron microscopy imaging of severe lattice distortions
期刊论文
ULTRAMICROSCOPY, 2021, 卷号: 231
作者:
Shao, Yu-Tsun
;
Yuan, Renliang
;
Hsiao, Haw-Wen
;
Yang, Qun
;
Hu, Yang
Adobe PDF(2993Kb)
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浏览/下载:457/149
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提交时间:2021/12/17
Electron scattering
Electrons
Germanium metallography
High resolution transmission electron microscopy
Scanning
Scanning electron microscopy
Si-Ge alloys
Diffuse scattering
Disordered crystals
Lattice distortions
Local fluctuations
Periodic scatterings
Scanning electrons
Scanning transmission electron microscopy
Scattering potentials
Molecular dynamics investigation of the thermal conductivity of ternary silicon-germanium-tin alloys
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2017, 卷号: 50, 期号: 49
作者:
Lee, Yongjin
;
Hwang, Gyeong S.
Adobe PDF(579Kb)
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浏览/下载:462/0
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提交时间:2017/12/12
thermal conductivity
ternary Si-Ge-Sn alloy
non-equilibrium molecular dynamics
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