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Dynamic Reliability Assessment of Vertical GaN Trench MOSFETs With Thick Bottom Dielectric
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2024, 卷号: PP, 期号: 99, 页码: 1-1
作者:
Yu Zhang
;
Renqiang Zhu
;
Haolan Qu
;
Yitian Gu
;
Huaxing Jiang
Adobe PDF(1470Kb)
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浏览/下载:290/0
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提交时间:2024/06/11
Activation energy
Deep level transient spectroscopy
Dielectric materials
Drain current
Electric fields
Gallium nitride
High electron mobility transistors
III-V semiconductors
MOSFET devices
Stability
Threshold voltage
Current collapse
Dynamic reliability assessment
Dynamics characteristic
Dynamics stability
MOS-FET
MOSFETs
Reference devices
Time resolved measurement
Trench MOSFET
Vertical trench MOSFET
Design and Implementation of a Fast Set-Up and Low-Noise Bandgap Reference
期刊论文
电子学报, 2021, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2195-2201
作者:
Wu, Xi-An
;
Zhang, Ze-Chen
;
Yuan, Sheng-Yue
;
Tian, Tong
Adobe PDF(2085Kb)
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收藏
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浏览/下载:270/0
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提交时间:2022/01/21
Capacitance
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