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研究单元&专题
信息科学与技术学院 [1]
作者
杨雨梦 [1]
文献类型
期刊论文 [1]
发表日期
2021 [1]
出处
IEEE ELECT... [1]
语种
英语 [1]
资助项目
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收录类别
EI [1]
SCIE [1]
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Total ionizing dose effects on nanosheet gate-all-around MOSFETs built on void embedded silicon on insulator substrate
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2021, 卷号: 42, 期号: 10, 页码: 1428-1431
作者:
Lantian Zhao
;
Qiang Liu
;
Chenhe Liu
;
Lingli Chen
;
Yumeng Yang
Adobe PDF(1065Kb)
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浏览/下载：282/0
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提交时间：2021/12/03
Ionizing radiation
Metals
MOS devices
Nanosheets
Oxide semiconductors
Silicon on insulator technology
Substrates
Threshold voltage
Off
state current
Radiation environments
Radiation tolerances
Silicon
on
insulator substrates
Threshold voltage shifts
Total Ionizing Dose
Total ionizing dose effects
X ray irradiation
Gallium arsenide
Logic gates
Silicon-on-insulator
MOSFET
Total ionizing dose
Performance evaluation
nanosheet
gate-all-around
void-embedded silicon on insulator
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