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物质科学与技术学院 [1]
作者
乔山 [1]
宋志棠 [1]
邹茜茜 [1]
刘晋 [1]
文献类型
期刊论文 [1]
发表日期
2024 [1]
出处
APPLIED SU... [1]
语种
英语 [1]
资助项目
National K... [1]
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SCI [1]
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WOS被引频次降序
Understanding the mechanism of plasma etching of carbon-doped GeSbTe phase change material
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2024, 卷号: 671
作者:
Liu, Jin
;
Zhang, Jiarui
;
Wan, Ziqi
;
Chen, Yuqing
;
Zheng, Jia
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提交时间：2024/08/09
Antimony compounds
Bromine compounds
Cleaning
Germanium compounds
Oxygen
Phase change memory
Tellurium compounds
300 mm wafers
Carbon-doped gesbte
Chemical damages
Cleaning process
Etching damages
High temperature process
Phase-change memory
Physical damages
Pitch line
Thermal crosstalk
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