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作者
陈效双 [1]
杨遥 [1]
文献类型
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2024 [1]
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Strain-tuned full spin polarization and ndoping of phosphorene via the phosphorene/Co3Sn3S2 heterojunction
期刊论文
COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE, 2024, 卷号: 233
作者:
Yang, Yao
;
Wang, Xiaofang
;
Xie, Yiqun
;
Hu, Yibin
;
Chen, Xiaoshuang
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提交时间:2023/12/22
Energy gap
Heterojunctions
Schottky barrier diodes
Semiconductor doping
Spin polarization
Tin compounds
Van der Waals forces
Electronic.structure
First principle method
Half metals
High carrier mobility
N-Doping
Phosphorene
Schottky barriers
Spin channels
Spin-orbit couplings
Spin-polarization
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