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2025 [1]
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PROCEEDING... [2]
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Study on the effect of implanted area on the multiplication region and characteristics of PIN HgCdTe avalanche photodiodes
会议论文
PROCEEDINGS OF SPIE - THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING, Taiyuan, China, November 1, 2024 - November 3, 2024
作者:
Xie, Hao
;
Guo, Huijun
;
Shen, Chuan
;
Yang, Liao
;
Chen, Lu
Adobe PDF(2110Kb)
|
收藏
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浏览/下载：215/1
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提交时间：2025/03/14
Avalanche diodes - Cadmium alloys - Fiber optic sensors - Infrared devices - Mercury amalgams - PIN diodes
Excess noise - Future applications - HgCdTe - Implanted area - Linear modes - Multiplication region - Optical observations - PIN structures - Region-based - Tunable gains
Developments and Characterization of HgCdTe e-APDs at SITP
会议论文
PROCEEDINGS OF SPIE - THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING, Nantong, China, September 17, 2022 - September 19, 2022
作者:
Guo, Huijun
;
Yang, Liao
;
Shen, Chuan
;
Xie, Hao
;
Yang, Dan
Adobe PDF(1434Kb)
|
收藏
|
浏览/下载：293/0
|
提交时间：2023/06/02
Cadmium alloys
Dark currents
Economic and social effects
Focusing
II-VI semiconductors
Infrared radiation
Mercury amalgams
Narrow band gap semiconductors
Optical communication
Photons
Semiconductor alloys
Semiconductor doping
Cutoff wavelengths
Excess noise factor
Focal-plane arrays
Hgcdte APD
High gain
Low dark current
NEPh
PIN structures
Reverse-bias
Short wavelengths
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