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物质科学与技术学院 [1]

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Correlation between MBE deoxidation conditions and InGaAs/InP APD performance 期刊论文
HONGWAI YU HAOMIBO XUEBAO/JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2024, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 63-69
作者: Guo, Zi-Lu; Wang, Wen-Juan; Qu, Hui-Dan; Fan, Liu-Yan; Zhu, Yi-Cheng

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收藏 | 浏览/下载：262/3 | 提交时间：2024/02/23

Carrier concentration Heterojunctions III-V semiconductors Indium phosphide Infrared devices Molecular beams Optoelectronic devices Point defects Semiconducting indium Semiconducting indium gallium arsenide Semiconducting indium phosphide Semiconductor alloys Semiconductor quantum dots Substrates Condition Deoxidation Hetero-interfaces Heterointerface diffusion High sensitivity InGaAs/InP avalanche photodiodes InP substrates Molecular-beam epitaxy P/as exchange Performance

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