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JOURNAL OF... [1]
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Emission and capture characteristics of deep hole trap in n-GaN by optical deep level transient spectroscopy
期刊论文
JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2024, 卷号: 45, 期号: 3
作者:
Jin Sui
;
Jiaxiang Chen
;
Haolan Qu
;
Yu Zhang
;
Xing Lu
Adobe PDF(4177Kb)
|
收藏
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浏览/下载:308/1
|
提交时间:2024/04/06
GaN
deep level transient spectroscopy
minority carrier trap
time constant
trap concentration
Activation energy
Deep level transient spectroscopy
Electric fields
Hole concentration
III-V semiconductors
Laser beams
Schottky barrier diodes
Semiconductor diodes
Wide band gap semiconductors
Activation energy E
Carrier traps
Deep hole trap
Deep levels transient spectroscopy
Emission process
Minority carrier
Minority carrier trap
Optical-
Time-constants
Trap concentration
On-site determination of optical constants for thin films
期刊论文
红外与毫米波学报, 2022, 卷号: 41, 期号: 5, 页码: 888-893
作者:
Xie Mao-Bin
;
Wu Zhi-Yong
;
Cui Heng-Yi
;
Zhao Xin-Chao
;
Xuan Zhi-Yi
Adobe PDF(748Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:243/0
|
提交时间:2022/11/04
Infrared devices
Optical constants
Refractive index
Silica
Silicon
Tantalum oxides
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