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Field-free spin-orbit torque switching of an antiferromagnet with perpendicular Néel vector
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2023, 卷号: 133, 期号: 15, 页码: 153904
作者:
Xu, Zhengde
;
Ren, Jie
;
Yuan, Zhengping
;
Xin, Yue
;
Zhang, Xue
Adobe PDF(2282Kb)
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浏览/下载:303/1
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提交时间:2023/05/12
Antiferromagnetic materials
Magnetic moments
Magnetic storage
Antiferromagnets
Ferromagnetics
Magnetic memory
Metal structures
Operation speed
Orthogonal current
Performance
Spin orbits
Trilayers
Uniform fields
Spin-orbit torque
perpendicular antiferromagnet
ultrafast switching
two orthogonal currents
A 10-nm-thick silicon oxide based high switching speed conductive bridging random access memory with ultra-low operation voltage and ultra-low LRS resistance
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2022, 卷号: 120, 期号: 13
作者:
Cao, Haichao
;
Ren, Hao
Adobe PDF(2261Kb)
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|
浏览/下载:305/0
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提交时间:2022/04/22
Oxide films
Silicon compounds
Silicon oxides
Switching
Electrode layers
Low resistance
Low-resistance state
Operation voltage
Random access memory
Silicon oxide films
State resistance
Switching speed
Ultra-low-voltage
Ultra-thin
High performance of Er-doped Sb2Te material used in phase change memory
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2022, 卷号: 889
作者:
Zhao, Jin
;
Yuan, Zhenhui
Adobe PDF(5720Kb)
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浏览/下载:385/0
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提交时间:2021/12/17
Antimony compounds
Erbium
Erbium compounds
Lattice mismatch
Phase change memory
Tellurium compounds
Thermodynamic stability
Comprehensive performance
Data-retention
Erbium doped
High Speed
In-phase
Operation speed
Performance
Phase Change
Phase-change memory
Thermal
High Thermal Stability and Fast Speed Phase Change Memory by Optimizing GeTe Alloys with Ru Doping
期刊论文
ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 卷号: 10, 期号: 5
作者:
Xu, Yongkang
;
Song, Sannian
;
Yuan, Zhenhui
;
Zhao, Jin
;
Song, Zhitang
Adobe PDF(1204Kb)
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提交时间:2021/06/11
Germanium compounds
Molecular dynamics
Phase change materials
Ruthenium
Storage (materials)
Amorphous structures
Coordination number
Fatigue characteristics
High thermal stability
Operation speed
Phase change memory (pcm)
Quenching process
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