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Morphology improvement of SiC trench by inductively coupled plasma etching using Ni/Al2O3 bilayer mask 期刊论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2017, 卷号: 67, 页码: 104-109
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Adobe PDF(915Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：768/4  |  提交时间：2017/08/26
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