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Ultralow Electrical Current Driven Field-Free Spin-Orbit Torque Switching of Magnetic Tunnel Junctions by Topological Insulators
期刊论文
ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2025
作者:
Zhang, Xu
;
Chen, Aitian
;
Zhang, Yifan
;
Zeng, Zhaozhuo
;
Guo, Yaqin
Adobe PDF(2699Kb)
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浏览/下载:26/3
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提交时间:2025/05/12
field-free switching
magnetic random-access memory
magnetic tunnel junction
spin-orbit torque
topological insulators
Field-Free Rashba-Type Crystal Torque MRAM with High Efficiency and Thermal Stability
会议论文
2024 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM), San Francisco, CA, USA, 7-11 Dec. 2024
作者:
Puyang Huang
;
Shan Yao
;
Aitian Chen
;
Zhenghang Zhi
;
Chenyi Fu
Adobe PDF(1990Kb)
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浏览/下载:94/5
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提交时间:2025/03/03
Crystal symmetry
Diluted magnetic semiconductors
Dynamic random access storage
Electromagnetic induction
Magnetic core storage
Magnetic recording
Magnetic tape storage
MRAM devices
Semiconducting indium phosphide
Static random access storage
System-on-chip
A-stable
CdTe
High thermal
Higher efficiency
Magnetic random access memory
Metal systems
Rashba spin-orbit coupling
Spin orbits
Switching scheme
Write currents
Revisiting the analytical solution of spin-orbit torque switched
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2024, 卷号: 110, 期号: 18
作者:
Zhang, Xue
;
Xu, Zhengde
;
Zhu, Zhifeng
Adobe PDF(1400Kb)
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浏览/下载:180/2
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提交时间:2024/12/17
Magnetic disk storage
Magnetization reversal
Nanomagnetics
Random access storage
Spin dynamics
Ferromagnets
Magnetic memory
Magnetization dynamics
Nano scale
Nanometer size
Scalings
Smooth transitions
Spin orbits
Switching currents
Theoretical modeling
Orthogonal spin-orbit torque-induced deterministic switching in NiO
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2024, 卷号: 125, 期号: 18
作者:
Qiao, Yixiao
;
Xu, Zhengde
;
Xu, Zhuo
;
Yang, Yumeng
;
Zhu, Zhifeng
Adobe PDF(884Kb)
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浏览/下载:313/70
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提交时间:2024/11/19
Antiferromagnetism
Magnetic logic devices
Magnetic moments
Magnetic recording
Magnetoresistance
MRAM devices
Antiferromagnetics
Antiferromagnets
Deterministics
Electrical switching
Hall magnetoresistance
Magnetic random access memory
Orthogonal current
Spin orbits
Sub-lattices
Ultra-fast
Spin-transfer-torque induced spatially nonuniform switching in ferrimagnets
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2024, 卷号: 124, 期号: 1
作者:
Zhang, Xue
;
Xu, Zhengde
;
Ren, Jie
;
Qiao, Yixiao
;
Fan, Weijia
Adobe PDF(3233Kb)
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浏览/下载:379/63
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提交时间:2024/04/26
Binary alloys
Cobalt alloys
Ferrimagnetism
Iron alloys
Magnetic storage
Magnetization
Random access storage
Tunnel junctions
Atomistic modelling
Ferrimagnets
Magnetic dynamics
Magnetic random access memory
Magnetic tunnel junction
Small samples
Spin transfer torque
Sub-lattices
Ultra-fast
Writing speed
A Read Margin Enhancement Circuit With Dynamic Bias Optimization for MRAM
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS II: EXPRESS BRIEFS, 2024, 卷号: PP, 期号: 99, 页码: 3905-3909
作者:
Chen, Renhe
;
Lee, Albert
;
Wang, Zirui
;
Wu, Di
;
Kou, Xufeng
Adobe PDF(2470Kb)
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提交时间:2023/11/22
Magnetic random access memory
read margin enhancement
tunneling magnetoresistance ratio
readout mechanism
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