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信息科学与技术学院 [1]
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作者
陆卫 [1]
郭子路 [1]
李云铎 [1]
文献类型
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发表日期
2024 [1]
2021 [1]
出处
HONGWAI YU... [1]
IEEE TRANS... [1]
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期刊影响因子升序
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作者升序
作者降序
Correlation between MBE deoxidation conditions and InGaAs/InP APD performance
期刊论文
HONGWAI YU HAOMIBO XUEBAO/JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2024, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 63-69
作者:
Guo, Zi-Lu
;
Wang, Wen-Juan
;
Qu, Hui-Dan
;
Fan, Liu-Yan
;
Zhu, Yi-Cheng
Adobe PDF(6878Kb)
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收藏
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浏览/下载:270/3
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提交时间:2024/02/23
Carrier concentration
Heterojunctions
III-V semiconductors
Indium phosphide
Infrared devices
Molecular beams
Optoelectronic devices
Point defects
Semiconducting indium
Semiconducting indium gallium arsenide
Semiconducting indium phosphide
Semiconductor alloys
Semiconductor quantum dots
Substrates
Condition
Deoxidation
Hetero-interfaces
Heterointerface diffusion
High sensitivity
InGaAs/InP avalanche photodiodes
InP substrates
Molecular-beam epitaxy
P/as exchange
Performance
A Full CMOS Quenching Circuit With Fuse Protection for InGaAs/InP Single Photon Detectors
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS II-EXPRESS BRIEFS, 2021, 卷号: 68, 期号: 10, 页码: 3224-3228
作者:
Yunduo Li
;
Lianhua Ye
;
Xu Liu
;
Songlei Huang
;
Yingjie Ma
Adobe PDF(2392Kb)
|
收藏
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浏览/下载:233/0
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提交时间:2021/10/15
Fuses protection
quenching circuit
InGaAs/InP
Geiger-mode avalanche photodiode
single photon detection
Avalanche photodiodes
CMOS integrated circuits
Gallium compounds
Metals
Particle beams
Photons
Quenching
Semiconducting indium gallium arsenide
Timing circuits
Fuse protection
Geiger mode avalanche photodiode
High
voltage protections
Innovative design
Quenching circuits
Rapidly quenching
Readout integrated circuits
Single
photon detectors
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