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Quantitative analysis of element substitution in mixed-vanadate LuxGd1-xVO4 single crystals at the atomic scale
期刊论文
CERAMICS INTERNATIONAL, 2024, 卷号: 50, 期号: 13, 页码: 24888-24893
作者:
Wang, Yueran
;
Zhang, Enci
;
Chen, Yang
;
Ji, Nianjing
;
Jiang, Yilan
Adobe PDF(4962Kb)
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收藏
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浏览/下载:295/2
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提交时间:2024/05/11
Chemical stability
Crystal atomic structure
Crystal orientation
Dissociation
Electron energy levels
Electron scattering
Electronic structure
Energy dispersive spectroscopy
Energy dissipation
Gadolinium
Gadolinium compounds
Rare earths
Semiconductor doping
Single crystals
Spectrum analysis
Thermal conductivity
Atomic levels
Atomic scale
Atomic-level doping in crystalline material
Electron energy-loss spectroscopies
Electron energy-loss spectroscopy
Energy dispersive X ray spectroscopy
Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDS)
High-angle annular dark field
High-angle annular dark fields
Mixed crystals
Interfacial characterization of InAs/GaSb superlattices grown by MOCVD at different growth temperatures
期刊论文
MICRO AND NANOSTRUCTURES, 2023, 卷号: 180
作者:
Li, Meng
;
Zhu, Hong
;
Zhu, He
;
Liu, Jiafeng
;
Huai, Yunlong
Adobe PDF(6082Kb)
|
收藏
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浏览/下载:421/0
|
提交时间:2023/06/02
Antimony compounds
Gallium arsenide
Growth temperature
III-V semiconductors
Indium antimonides
Indium arsenide
Semiconducting gallium
Transmission electron microscopy
High-angle annular dark fields
High-angle annular dark-field imaging
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Interfacial structures
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