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信息科学与技术学院 [1]
物质科学与技术学院 [1]
作者
张洪题 [1]
陈嘉祥 [1]
文献类型
期刊论文 [2]
发表日期
2023 [1]
2022 [1]
出处
JOURNAL OF... [1]
MICROMACHI... [1]
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Trap Characterization Techniques for GaN-Based HEMTs: A Critical Review
期刊论文
MICROMACHINES, 2023, 卷号: 14, 期号: 11
作者:
Zou, Xiazhi
;
Jiayi Yang
;
Qifeng Qiao
;
Xinbo Zou
;
Chen JX(陈嘉祥)
Adobe PDF(3884Kb)
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提交时间：2023/11/20
High electron mobility transistors
III-V semiconductors
Characterization methods
Characterization techniques
Critical review
Gallium nitride high-electron-mobility transistor
High breakdown voltage
High current densities
High electron-mobility transistors
High-power-density
Power devices
Trap
Diamond semiconductor and elastic strain engineering
期刊论文
JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2022, 卷号: 43, 期号: 2
作者:
Dang, Chaoqun
;
Lu, Anliang
;
Wang, Heyi
;
Zhang, Hongti
;
Lu, Yang
Adobe PDF(4404Kb)
|
收藏
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浏览/下载：404/2
|
提交时间：2022/03/25
Diamonds
Electronic properties
Energy gap
Field effect transistors
Integrated circuits
Microelectronics
Quantum optics
Semiconductor device manufacture
Semiconductor junctions
Thermal conductivity
Thermal expansion
Wide band gap semiconductors
Elastic strain engineerings
High breakdown voltage
Low thermal expansion
Power-electronics
Property
Semiconductor industry
Thermal expansion coefficients
Ultra-high
Ultra-wide
Wide-band-gap semiconductor
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