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期刊论文 [3]
发表日期
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ADVANCED M... [1]
ANGEWANDTE... [1]
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Increasing coverage of mono-layer graphene grown on hexagonal boron nitride
期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2023, 卷号: 34, 期号: 16
作者:
Jiang, Chengxin
;
Chen, Lingxiu
;
Wang, Huishan
;
Chen, Chen
;
Wang, Xiujun
Adobe PDF(824Kb)
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浏览/下载:554/0
|
提交时间:2023/03/10
Boron nitride
Esters
Graphene
III-V semiconductors
Nitrides
Nucleation
Organic polymers
Silicon carbide
Chemical vapour deposition
Coverage
Domain boundary
Domain size
Graphene films
Hexagonal boron nitride
Mono-layer
Nucleation growth
Property
Vertical growth
Highly Selective Photoelectroreduction of Carbon Dioxide to Ethanol over Graphene/Silicon Carbide Composites
期刊论文
ANGEWANDTE CHEMIE - INTERNATIONAL EDITION, 2023, 卷号: 62, 期号: 15
作者:
Feng, Guanghui
;
Wang, Shibin
;
Li, Shenggang
;
Ge, Ruipeng
;
Feng, Xuefei
Adobe PDF(4981Kb)
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收藏
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浏览/下载:597/0
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提交时间:2023/03/17
Artificial photosynthesis
Carbon dioxide
Catalyst selectivity
Ethanol
Graphene
Solar energy
Artificial photosynthesis
C-C coupling
CO2 photoelectroreduction
Conversion rates
Ethanol selectivity
Graphene/silicon carbide
Promoting C−C coupling
Silicon carbide composites
Solar energy storages
Valuable chemicals
Gaseous Catalyst Assisted Growth of Graphene on Silicon Carbide for Quantum Hall Resistance Standard Device
期刊论文
ADVANCED MATERIALS TECHNOLOGIES, 2022, 卷号: 8, 期号: 2
作者:
Chen, Lingxiu
;
Wang, HuiShan
;
Kong, Ziqiang
;
Zhai, Changwei
;
Wang, Xiujun
Adobe PDF(2743Kb)
|
收藏
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浏览/下载:243/0
|
提交时间:2023/01/16
gaseous catalyst
graphene
quantum Hall resistance standard device
silicon carbide
step height
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