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SOLID STAT... [1]
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Stability, electronic, and mechanical properties of Si/Ge substitutionally doped T2CO2 (T = Zr and Hf)
期刊论文
SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2022, 卷号: 353
作者:
Wang, Changying
;
Guo, Yongliang
;
Yin, Yaru
;
Jin, Xuechen
;
Zhu, Hong
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提交时间：2022/07/15
Calculations
Energy gap
Mechanical stability
Silicon
Stability criteria
System stability
Tensile strain
Thermodynamic stability
Zirconium
2D-hexagonal
Band gap narrowing
First principle calculations
First principle method
Gap values
Hexagonal crystals
Layer materials
Si/Ge
Substitutional doping
T2CO2
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