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Strain-tuned full spin polarization and ndoping of phosphorene via the phosphorene/Co3Sn3S2 heterojunction
期刊论文
COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE, 2024, 卷号: 233
作者:
Yang, Yao
;
Wang, Xiaofang
;
Xie, Yiqun
;
Hu, Yibin
;
Chen, Xiaoshuang
Adobe PDF(2394Kb)
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浏览/下载:352/0
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提交时间:2023/12/22
Energy gap
Heterojunctions
Schottky barrier diodes
Semiconductor doping
Spin polarization
Tin compounds
Van der Waals forces
Electronic.structure
First principle method
Half metals
High carrier mobility
N-Doping
Phosphorene
Schottky barriers
Spin channels
Spin-orbit couplings
Spin-polarization
Stability, electronic, and mechanical properties of Si/Ge substitutionally doped T2CO2 (T = Zr and Hf)
期刊论文
SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2022, 卷号: 353
作者:
Wang, Changying
;
Guo, Yongliang
;
Yin, Yaru
;
Jin, Xuechen
;
Zhu, Hong
Adobe PDF(13238Kb)
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浏览/下载:284/0
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提交时间:2022/07/15
Calculations
Energy gap
Mechanical stability
Silicon
Stability criteria
System stability
Tensile strain
Thermodynamic stability
Zirconium
2D-hexagonal
Band gap narrowing
First principle calculations
First principle method
Gap values
Hexagonal crystals
Layer materials
Si/Ge
Substitutional doping
T2CO2
Prediction of structural and phase transitions of Th2CN from ambient pressure to 100 GPa: A first-principles study
期刊论文
COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE, 2022, 卷号: 210
作者:
Qiu, Qian
;
Liao, Zhiguang
;
Guo, Yongliang
;
Huai, Ping
;
Zhu, Zhiyuan
Adobe PDF(1889Kb)
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浏览/下载:635/0
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提交时间:2021/12/17
Bond strength (chemical)
Electronic structure
Forecasting
Nuclear fuels
Particle swarm optimization (PSO)
Phase diagrams
Thermodynamics
Ambient pressures
First principles
First-principle study
Geometrical structure
Particle swarm optimization method
Physical characteristics
Pressure ranges
Pressure-induced phase transition
Structure characteristic
Structure prediction
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