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Emission and capture characteristics of deep hole trap in n-GaN by optical deep level transient spectroscopy
期刊论文
JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2024, 卷号: 45, 期号: 3
作者:
Jin Sui
;
Jiaxiang Chen
;
Haolan Qu
;
Yu Zhang
;
Xing Lu
Adobe PDF(4177Kb)
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浏览/下载:300/0
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提交时间:2024/04/06
GaN
deep level transient spectroscopy
minority carrier trap
time constant
trap concentration
Activation energy
Deep level transient spectroscopy
Electric fields
Hole concentration
III-V semiconductors
Laser beams
Schottky barrier diodes
Semiconductor diodes
Wide band gap semiconductors
Activation energy E
Carrier traps
Deep hole trap
Deep levels transient spectroscopy
Emission process
Minority carrier
Minority carrier trap
Optical-
Time-constants
Trap concentration
Tens of Gigabits Wireless Communications Over E-Band LoS MIMO Channels With Uniform Linear Antenna Arrays
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON WIRELESS COMMUNICATIONS, 2014, 卷号: 13, 期号: 7, 页码: 3791-3805
作者:
Peng Wang
;
Yonghui Li
;
Xiaojun Yuan
;
Lingyang Song
;
Branka Vucetic
Adobe PDF(1458Kb)
|
收藏
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浏览/下载:533/1
|
提交时间:2017/07/04
E-band
line-of-sight (LoS)
multiple-input multiple-output (MIMO)
uniform linear antenna arrays (ULAs)
Rayleigh distance criterion
effective multiplexing distance
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