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Suppressed current collapse and improved threshold voltage stability of AlGaN/GaN HEMT via O2 plasma treatment
期刊论文
MICROELECTRONICS JOURNAL, 2024, 卷号: 148
作者:
Zhu, Yitai
;
Zhang, Yu
;
Qu, Haolan
Adobe PDF(4805Kb)
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浏览/下载:314/3
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提交时间:2024/06/11
AlGaN/GaN HEMT
O 2 plasma treatment
Current collapse
Threshold voltage shift
Dynamic characteristic
Dynamic Reliability Assessment of Vertical GaN Trench MOSFETs With Thick Bottom Dielectric
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2024, 卷号: PP, 期号: 99, 页码: 1-1
作者:
Yu Zhang
;
Renqiang Zhu
;
Haolan Qu
;
Yitian Gu
;
Huaxing Jiang
Adobe PDF(1470Kb)
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收藏
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浏览/下载:290/0
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提交时间:2024/06/11
Activation energy
Deep level transient spectroscopy
Dielectric materials
Drain current
Electric fields
Gallium nitride
High electron mobility transistors
III-V semiconductors
MOSFET devices
Stability
Threshold voltage
Current collapse
Dynamic reliability assessment
Dynamics characteristic
Dynamics stability
MOS-FET
MOSFETs
Reference devices
Time resolved measurement
Trench MOSFET
Vertical trench MOSFET
Temperature-Dependent Characteristics of HgCdTe Mid-Wave Infrared E-Avalanche Photodiode
期刊论文
IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, 2022, 卷号: 28, 期号: 2
作者:
Liqi Zhu
;
Huijun Guo
;
Zhuo Deng
;
Liao Yang
;
Jian Huang
Adobe PDF(5838Kb)
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浏览/下载:312/1
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提交时间:2021/11/26
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Avalanche Photodiodes (APD)
Temperatures
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