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Relaxation kinetics of interface states and bulk traps in atomic layer deposited ZrO2/β-Ga2O3 metal-oxide-semiconductor capacitors
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2024, 卷号: 135, 期号: 8
作者:
Chen, Jiaxiang
;
Qu, Haolan
;
Sui, Jin
;
Lu, Xing
;
Zou, Xinbo
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浏览/下载：396/44
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提交时间：2024/03/22
Atomic layer deposition
Capacitance
Electric fields
Gallium compounds
MOS capacitors
Oxide semiconductors
Transistors
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Atomic layer deposited
Bulk traps
Comprehensive analysis
Device instabilities
Emission behavior
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Interfaces state
Metal-oxide semiconductor devices
Metal-oxide- semiconductorcapacitors
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