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Relaxation kinetics of interface states and bulk traps in atomic layer deposited ZrO2/β-Ga2O3 metal-oxide-semiconductor capacitors
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2024, 卷号: 135, 期号: 8
作者:
Chen, Jiaxiang
;
Qu, Haolan
;
Sui, Jin
;
Lu, Xing
;
Zou, Xinbo
Adobe PDF(3256Kb)
|
收藏
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浏览/下载:396/44
|
提交时间:2024/03/22
Atomic layer deposition
Capacitance
Electric fields
Gallium compounds
MOS capacitors
Oxide semiconductors
Transistors
Zirconia
Atomic layer deposited
Bulk traps
Comprehensive analysis
Device instabilities
Emission behavior
Forward bias
Interfaces state
Metal-oxide semiconductor devices
Metal-oxide- semiconductorcapacitors
Relaxation kinetics
Nano-Oxide-Assisted Si/PbS CQD Heterojunction Photodetectors for Broadband Sensing
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2024, 卷号: PP, 期号: 99, 页码: 1-5
作者:
Zhongyu Liu
;
Haobo Wu
;
Li Zheng
;
Wenjia Zhou
;
Shan Zhang
Adobe PDF(2032Kb)
|
收藏
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浏览/下载:289/8
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提交时间:2024/06/03
Atomic layer deposition
Cost effectiveness
Heterojunctions
Indium compounds
IV-VI semiconductors
Lead compounds
Nanocrystals
Photons
Semiconductor quantum dots
Silicon compounds
Surface treatment
Surface waves
Tin oxides
Atomic layer deposited
Colloidal quantum dot
Colloidal quantum dots
Lead
Nano-oxides
Nanoscale device
Photodetector
Si-based
Si-based broadband sensing
Schottky-type GaN-based UV photodetector with atomic-layer-deposited TiN thin film as electrodes
期刊论文
OPTICS LETTERS, 2022, 卷号: 47, 期号: 2, 页码: 429-432
作者:
Su, Longxing
;
Zhao, Lianqi
;
Chen, Sheng-Yu
;
Deng, Yingdong
;
Pu, Ruihua
Adobe PDF(3721Kb)
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收藏
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提交时间:2022/01/28
Chemical bonds
Crystal atomic structure
Gallium nitride
III-V semiconductors
Photodetectors
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Titanium nitride
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Asymmetric electrodes
Atomic layer deposited
Atomic-layer deposition
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Electrode structure
GaN based
Schottky
TiN layers
TiN thin films
UV photodetectors
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