中文版 | English

在结果中检索

KMS

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
InAs/GaSbⅡ类超晶格电学特性研究 期刊论文
红外与毫米波学报, 2025
作者:  向泰毅
Microsoft Word(2303Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2025/03/19
MBE脱氧条件与InGaAs/InP APD性能的相关性（英文） 期刊论文
红外与毫米波学报, 2024, 卷号: 43, 期号: 01, 页码: 63-69
作者:  郭子路;  王文娟;  曲会丹;  范柳燕;  诸毅诚
Adobe PDF(1153Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：183/2  |  提交时间：2024/08/09
SrRuO3超薄膜制备条件和拓扑霍尔效应的关联 期刊论文
物理学报, 2022, 卷号: 72, 期号: 9, 页码: 1-15
作者:  张静娴;  保明睿;  叶飞;  刘佳;  成龙
Adobe PDF(1493Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：675/1  |  提交时间：2022/12/14
GaxN2:Zn3-x薄膜的分子束外延生长及其光学和电子输运性能表征 期刊论文
原子与分子物理学报, 2022, 卷号: 40, 期号: 06, 页码: 73-78
作者:  吴鹏
Adobe PDF(510Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2022/12/14
InP衬底上InAlAs异变缓冲层和高铟组分InGaAs的生长温度优化（英文） 期刊论文
红外与毫米波学报, 2018, 卷号: 37, 期号: 06, 页码: 699-703+710
作者:  张见;  陈星佑;  顾溢;  龚谦;  黄卫国
Adobe PDF(3136Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：174/0  |  提交时间：2022/12/14
MBE生长GaAsBi过程中Bi组分对背景杂质含量的影响 期刊论文
四川师范大学学报(自然科学版), 2018, 卷号: 41, 期号: 5, 页码: 662-667
作者:  张凡;  潘文武;  王利娟;  张焱超;  宋禹忻
Adobe PDF(2934Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：319/1  |  提交时间：2022/12/14
中红外半导体材料的大跨越 期刊论文
科技纵览, 2015, 卷号: 0, 期号: 9, 页码: 72-73
作者:  王庶民;  张立瑶;  张凡
收藏  |  浏览/下载：179/0  |  提交时间：2022/12/14
  • 首页
  • 上一页
  • 1
  • 下一页
  • 末页