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物质科学与技术学院 [1]
作者
郭艳峰 [1]
袁健 [1]
文献类型
期刊论文 [1]
发表日期
2024 [1]
出处
ACS APPLIE... [1]
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WOS被引频次降序
Ferroelectric Switching Behavior in Two-Dimensional Semiconductor α-In2Se3 for Nonvolatile Memory
期刊论文
ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS, 2024, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 2507-2513
作者:
Li, Zhengxin
;
Chen, Yangyang
;
Yuan, Jian
;
Xu, Wanting
;
Yang, Xiaoqing
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提交时间：2024/04/26
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