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Radiation effects of high-fluence reactor neutron on Ni/β-Ga2O3 Schottky barrier diodes 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2024, 卷号: 124, 期号: 1
作者:  Zhou, Leidang;  Chen, Hao;  Xu, Tongling;  Ruan, Jinlu;  Lai, Yuru
Adobe PDF(1Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：212/20  |  提交时间：2024/03/04
Pulsed X-Ray Detector Based on an Unintentionally-Doped High Resistivity ε-Ga₂O₃ Film 期刊论文
IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2023, 卷号: 35, 期号: 2, 页码: 89-92
作者:  Wang, Jing;  Zhou, Leidang;  Lu, Xing;  Chen, Liang;  Chen, Zimin
Adobe PDF(1179Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：265/0  |  提交时间：2023/03/10
Temperature-dependent electrical characteristics of neutron-irradiated GaN Schottky barrier diodes 期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 卷号: 125
作者:  Zhu M(朱敏);  Ren Yuan;  Zhou Leidang;  Chen Jiaxiang;  Guo Haowen
Adobe PDF(2369Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：342/11  |  提交时间：2021/09/24
Temperature-Dependent Electrical Characterizations of Neutron-Irradiated GaN Schottky Barrier Diodes 期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021
作者:  Zhu Min;  Ren Yuan;  Zhou Leidang;  Chen Jiaxiang;  Guo Haowen
Adobe PDF(2369Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：335/1  |  提交时间：2023/03/29
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