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1.48-dB-Noise Figure E-Mode Recessed-Gate GaN MOSHEMT by Argon-Based Neutral Beam Etching for LNA Applications 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2025, 卷号: PP, 期号: 99
作者:  Wenbo Ye;  Junmin Zhou;  Han Gao;  Haowen Guo;  Yitian Gu
Adobe PDF(1674Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：64/4  |  提交时间：2025/02/12
1.48 dB-Noise Figure E-Mode Recessed-Gate GaN MOSHEMT by Neutralized Ion Beam Etching for LNA Applications 会议论文
THE 11TH ASIA-PACIFIC WORKSHOP ON WIDEGAP SEMICONDUCTORS, Busan, Korea, October 13-17, 2024
作者:  Wenbo Ye;  Junmin Zhou;  Han Gao;  Haowen Guo;  Yitian Gu
Adobe PDF(197Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2025/04/02
无权访问的条目 学位论文
作者:  周隽民
Adobe PDF(3943Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2025/02/01
GaN Nanowire n-i-n Diode Enabled High-performance UV Machine Vision System 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, 2024, 卷号: PP, 期号: 99, 页码: 1-6
作者:  Haitao Du;  Yu Zhang;  Junmin Zhou;  Jiaxiang Chen;  Wenbo Ye
Adobe PDF(1079Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：237/2  |  提交时间：2024/06/24
545-mA/mm E-mode Recessed-Gate GaN MOSHEMT (Vth > 4V) by Ion Beam Etching 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2024, 卷号: PP, 期号: 99, 页码: 1-1
作者:  Han Gao;  Yitian Gu;  Yu Zhang;  Jialun Li;  Junmin Zhou
Adobe PDF(2787Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：233/1  |  提交时间：2024/04/16
Y2O3改性SiC陶瓷高温水氧行为研究 期刊论文
中国材料进展, 2023, 卷号: 42, 期号: 06, 页码: 456-463
作者:  张俊敏;  陈小武;  杨金山;  张翔宇;  阚艳梅
Adobe PDF(1100Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：247/0  |  提交时间：2023/11/24
Investigation of a minority carrier trap in a NiO/β-Ga2O3p–n heterojunction via deep-level transient spectroscopy 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2023, 卷号: 38, 期号: 10, 页码: 105010
作者:  Qu, Haolan;  Chen, Jiaxiang;  Zhang, Yu;  Sui, Jin;  Zhang, Ruohan
Adobe PDF(999Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：274/0  |  提交时间：2023/09/23
RF p-GaN HEMT with 0.9-dB Noise Figure and 12.8-dB Associated Gain for LNA Applications 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2023, 卷号: 44, 期号: 9, 页码: 1412-1415
作者:  Junmin Zhou;  Haowen Guo;  Haitao Du;  Yu Zhang;  Haolan Qu
Adobe PDF(1317Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：366/1  |  提交时间：2023/07/28
Power Compression and Phase Analysis of GaN HEMT for Microwave Receiver Protection 期刊论文
ELECTRONICS, 2022, 卷号: 11, 期号: 13, 页码: 1958
作者:  Song, Wenhan;  Guo, Haowen;  Gu, Yitian;  Zhou, Junmin;  Sui, Jin
Adobe PDF(1835Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1026/463  |  提交时间：2022/08/15
Demonstration and modeling of frequency tripler based on GaN Schottky diode pair 期刊论文
MICROELECTRONICS JOURNAL, 2022, 卷号: 125, 页码: 105464
作者:  Zhou, Junmin;  Guo, Haowen;  Gu, Yitian;  Zou, Xinbo
Adobe PDF(3780Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：270/0  |  提交时间：2022/06/02
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