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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助

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Molecular beam epitaxy growth of AlAs1-xBix 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 卷号: 34, 期号: 3
作者:  Wang, Chang;  Wang, Lijuan;  Wu, Xiaoyan;  Zhang, Yanchao;  Liang, Hao
Adobe PDF(963Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：564/3  |  提交时间：2019/02/25
Molecular beam epitaxy growth of GaSb1-xBix without rotation 期刊论文
VACUUM, 2019, 卷号: 168
作者:  Chi, Chaodan;  Yue, Li;  Zhang, Yanchao;  Zhang, Zhenpu;  Ou, Xin
Adobe PDF(1942Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：465/5  |  提交时间：2019/08/13
A comparative study of selective dry and wet etching of germanium tin (Ge1-xSnx) on germanium 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 33, 期号: 8
作者:  Han, Yi;  Li, Yaoyao;  Song, Yuxin;  Chi, Chaodan;  Zhang, Zhenpu
Adobe PDF(1895Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：534/1  |  提交时间：2018/08/09
Abnormal strain in suspended GeSn microstructures 期刊论文
MATERIALS RESEARCH EXPRESS, 2018, 卷号: 5, 期号: 3
作者:  Han, Yi;  Song, Yuxin;  Chen, Xiren;  Zhang, Zhenpu;  Liu, Juanjuan
Adobe PDF(1524Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：533/1  |  提交时间：2018/04/11
Growth mode of tensile-strained Ge quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2017, 卷号: 50, 期号: 46
作者:  Zhang, Z. P.
Adobe PDF(1850Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：965/2  |  提交时间：2017/11/14
Effect of thermal annealing on structural properties of GeSn thin films grown by molecular beam epitaxy 期刊论文
AIP ADVANCES, 2017, 卷号: 7, 期号: 10
作者:  Zhang, Z. P.;  Song, Y. X.;  Li, Y. Y.;  Wu, X. Y.;  Zhu, Z. Y. S.
Adobe PDF(11296Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：487/1  |  提交时间：2017/12/12
Vapor-solid-solid grown Ge nanowires at integrated circuit compatible temperature by molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2017, 卷号: 122, 期号: 9
作者:  Zhu, Zhongyunshen;  Song, Yuxin;  Zhang, Zhenpu;  Sun, Hao;  Han, Yi
Adobe PDF(2219Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：437/1  |  提交时间：2017/11/02
Theoretical Investigation of Biaxially Tensile-Strained Germanium Nanowires 期刊论文
NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2017, 卷号: 12
作者:  Zhu, Zhongyunshen;  Song, Yuxin;  Chen, Qimiao;  Zhang, Zhenpu;  Zhang, Liyao
Adobe PDF(2146Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：441/1  |  提交时间：2017/08/26
1.142 mu m GaAsBi/GaAs Quantum Well Lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy 期刊论文
ACS PHOTONICS, 2017, 卷号: 4, 期号: 6, 页码: 1322-1326
作者:  
Adobe PDF(1221Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：594/1  |  提交时间：2017/08/26
Highly tensile-strained sub-monolayer Ge nanostructure on GaSb studied by scanning tunneling microscopy 期刊论文
MATERIALS RESEARCH EXPRESS, 2017, 卷号: 4, 期号: 4
作者:  Li, Yang;  Song, Yuxin;  Zhang, Zhenpu;  Li, Yaoyao;  Chen, Qimiao
Adobe PDF(2791Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：488/1  |  提交时间：2017/07/04
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