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物质科学与技术学院 [12]
作者
蒋洁安 [11]
刘凯森 [1]
文献类型
期刊论文 [12]
发表日期
2024 [1]
2021 [3]
2020 [1]
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出处
NANOTECHNO... [2]
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Activating p-type conduction and visible transparency in delafossite CuAlO2 films: The critical role of the copper valence state transition
期刊论文
MATERIALS TODAY PHYSICS, 2024, 卷号: 40
作者:
Liu, Kaisen
;
Wei, Jingxuan
;
Meng, Lin
;
Han, Dongyang
;
Chen, Li
Adobe PDF(4818Kb)
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浏览/下载:278/0
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提交时间:2024/01/05
Aluminum compounds
Chemical activation
Copper
Crystallinity
Heterojunctions
Oxide semiconductors
Sapphire
Semiconductor diodes
Silicon carbide
Substrates
Transparency
Wide band gap semiconductors
Delafossites
Electronics devices
Localised
P type conductivity
P-Type conduction
P-type oxide semiconductors
Performance
Valence state
Valence state transitions
Visible transparencies
Evidence of Carrier Localization in AlGaN/GaN-Based UV Multiple Quantum Wells with Opposite Polarity Domains Provided by Nanoscale Imaging
期刊论文
PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, 2021, 卷号: 15, 期号: 6
作者:
Cui, Mei
;
Guo, Wei
;
Xu, Houqiang
;
Jiang, Jie'an
;
Chen, Li
Adobe PDF(5357Kb)
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浏览/下载:645/2
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提交时间:2021/04/09
carrier localization
nanoscale imaging
polarity control
UV emitters
Direct demonstration of carrier distribution and recombination within step-bunched UV-LEDs
期刊论文
PHOTONICS RESEARCH, 2021, 卷号: 9, 期号: 5, 页码: 764-771
作者:
Xu, Houqiang
;
Jiang, Jiean
;
Chen, Li
;
Hoo, Jason
;
Yan, Long
Adobe PDF(1924Kb)
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浏览/下载:219/1
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提交时间:2021/06/04
Efficient carrier recombination in InGaN pyramidal µ-LED obtained by selective area growth
期刊论文
PHOTONICS, 2021, 卷号: 8, 期号: 5
作者:
Jie'an Jiang
;
Houqiang Xu
;
Li Chen
;
Long Yan
;
Jason Hoo
Adobe PDF(3142Kb)
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浏览/下载:304/8
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提交时间:2021/05/13
micro-LED
selective area growth
luminescence property
output power density
carrier confinement
Polarity control and fabrication of lateral polarity structures of III-nitride thin films and devices: progress and prospects
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 48
作者:
Guo, Wei
;
Xu, Houqiang
;
Chen, Li
;
Yu, Huabin
;
Jiang, Jie'an
Adobe PDF(5567Kb)
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浏览/下载:253/2
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提交时间:2020/11/02
wide bandgap materials
III-nitride thin film
lateral-polarity-structure
optoelectronic devices
electronic devices
Strain modulated nanostructure patterned AlGaN-based deep ultraviolet multiple-quantum-wells for polarization control and light extraction efficiency enhancement
期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2019, 卷号: 30, 期号: 43
作者:
Xu, Houqiang
;
Long, Hanling
;
Jiang, Jie'an
;
Sheikhi, Moheb
;
Li, Liang
Adobe PDF(1939Kb)
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浏览/下载:523/9
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提交时间:2019/09/04
DUV-LEDs
degree of polarization
light extraction efficiency
strain modulation
nanostructure
Three-dimensional band diagram in lateral polarity junction III-nitride heterostructures
期刊论文
OPTICA, 2019, 卷号: 6, 期号: 8, 页码: 1058-1062
作者:
Guo, Wei
;
Mitra, Somak
;
Jiang, Jie'an
;
Xu, Houdiang
;
Sheikhi, Moheb
Adobe PDF(1352Kb)
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浏览/下载:396/8
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提交时间:2019/09/23
Omnidirectional whispering-gallery-mode lasing in GaN microdisk obtained by selective area growth on sapphire substrate
期刊论文
OPTICS EXPRESS, 2019, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: 16195-16205
作者:
Jiang, Jie'an
;
Xu, Houqiang
;
Sheikhi, Moheb
;
Li, Liang
;
Yang, Zhenhai
Adobe PDF(4313Kb)
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浏览/下载:875/246
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提交时间:2019/06/14
Single peak deep ultraviolet emission and high internal quantum efficiency in AlGaN quantum wells grown on large miscut sapphire substrates
期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2019, 卷号: 129, 页码: 20-27
作者:
Xu, Houqiang
;
Jiang, Jie'an
;
Sheikhi, Moheb
;
Chen, Zhaoying
;
Hoo, Jason
Adobe PDF(1646Kb)
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浏览/下载:385/15
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提交时间:2019/06/04
AlGaN
Multiple quantum wells
Step-bunches
Photoluminescence
Internal quantum efficiency
GaN based UV-LEDs with Ni/Au Nanomeshes as Transparent p-type Electrodes
期刊论文
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2019, 卷号: 216, 期号: 4
作者:
Sheikhi, Moheb
;
Xu, Houqiang
;
Jiang, Jie'an
;
Wu, Sudong
;
Yang, Xi
Adobe PDF(2696Kb)
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浏览/下载:403/1
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提交时间:2019/03/12
light-emitting diodes
light extraction efficiency
nanomeshes
ohmic behavior
p-GaN contact
specific contact resistivity
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