×
验证码:
换一张
忘记密码？
记住我
×
统一认证登录
登录
中文版
|
English
上海科技大学知识管理系统
ShanghaiTech University Knowledge Management System
统一认证登录
登录
注册
ALL
ORCID
题名
作者
发表日期
关键词
文献类型
DOI
出处
存缴日期
收录类别
出版者
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
知识整合
学习讨论厅
在结果中检索
研究单元&专题
信息科学与技术学院 [1]
作者
邹新波 [1]
屈昊岚 [1]
顾怡恬 [1]
张羽 [1]
文献类型
期刊论文 [1]
发表日期
2024 [1]
出处
IEEE TRANS... [1]
语种
英语 [1]
资助项目
资助机构
收录类别
EI [1]
×
知识图谱
KMS
反馈留言
浏览/检索结果:
共1条，第1-1条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页：
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式：
请选择
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
作者升序
作者降序
Dynamic Reliability Assessment of Vertical GaN Trench MOSFETs With Thick Bottom Dielectric
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2024, 卷号: PP, 期号: 99, 页码: 1-1
作者:
Yu Zhang
;
Renqiang Zhu
;
Haolan Qu
;
Yitian Gu
;
Huaxing Jiang
Adobe PDF(1470Kb)
|
收藏
|
浏览/下载：282/0
|
提交时间：2024/06/11
Activation energy
Deep level transient spectroscopy
Dielectric materials
Drain current
Electric fields
Gallium nitride
High electron mobility transistors
III-V semiconductors
MOSFET devices
Stability
Threshold voltage
Current collapse
Dynamic reliability assessment
Dynamics characteristic
Dynamics stability
MOS-FET
MOSFETs
Reference devices
Time resolved measurement
Trench MOSFET
Vertical trench MOSFET
首页
上一页
1
下一页
末页
