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Output Phase and Amplitude Analysis of GaN-based HEMT at Cryogenic Temperatures
期刊论文
IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS, 2021, 卷号: 31, 期号: 11, 页码: 1219-1222
作者:
Haowen Guo
;
Junmin Zhou
;
Maojun Wang
;
Xinbo Zou
Adobe PDF(2774Kb)
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浏览/下载:361/2
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提交时间:2021/05/26
Amplitude compression
cryogenic temperature
gallium nitride (GaN)
high electron-mobility transistor (HEMT)
phase compression
Temperature-Dependent Dynamic Degradation of Carbon-Doped GaN HEMTs
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 卷号: 68, 期号: 7
作者:
Yitian Gu
;
Yangqian Wang
;
Jiaxiang Chen
;
Baile Chen
;
Maojun Wang
Adobe PDF(2431Kb)
|
收藏
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浏览/下载:393/5
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提交时间:2021/05/26
Carbon-doped GaN
cryogenic temperatures
dynamic characteristics
GaN high electron mobility transistor (HEMT)
low-temperature electronics
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