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物质科学与技术学院 [3]
作者
窦伟 [3]
刘赤县 [3]
陈天业 [3]
文献类型
期刊论文 [3]
发表日期
2024 [2]
2023 [1]
出处
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JOURNAL OF... [1]
红外与毫米波学报 [1]
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
晶体锗掺硼的离子注入工艺与晶格损伤机理研究(英文)
期刊论文
红外与毫米波学报, 2024, 卷号: 43, 期号: 06, 页码: 749-754
作者:
HABIBAUmE
;
陈天业
;
刘赤县
;
窦伟
;
刘晓燕
Adobe PDF(1503Kb)
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浏览/下载:23/1
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提交时间:2025/02/28
锗掺硼
离子注入
晶格损伤
Ion implantation process and lattice damage mechanism of boron doped crystalline germanium
期刊论文
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2024, 卷号: 43, 期号: 6, 页码: 749-754
作者:
Habiba, Um E.
;
Chen, Tian-Ye
;
Liu, Chi-Xian
;
Dou, Wei
;
Liu, Xiao-Yan
Adobe PDF(2811Kb)
|
收藏
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浏览/下载:68/2
|
提交时间:2025/01/10
boron doped germanium
ion implantation
lattice damage
Characterization of deep-level defects in highly-doped silicon with asymmetric structure by transient capacitance spectroscopy
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 2023, 卷号: 58, 期号: 26, 页码: 10651-10659
作者:
Liu, Chixian
;
Dou, Wei
;
Pan, Changyi
;
Yin, Ziwei
;
Liu, Xiaoyan
Adobe PDF(1453Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:212/0
|
提交时间:2023/07/14
Capacitance
Defect states
Photoexcitation
Semiconductor materials
Silicon
Asymmetric structures
Deep defects
Deep levels transient spectroscopy
Deep-level defects
Deep-levels
Defects in semiconductors
Doped silicon
Photo-excitations
Property
Transient capacitance
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