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物质科学与技术学院 [4]
作者
姜程鑫 [4]
谢晓明 [1]
文献类型
期刊论文 [4]
发表日期
2023 [2]
2022 [2]
出处
2D MATERIA... [1]
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Increasing coverage of mono-layer graphene grown on hexagonal boron nitride
期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2023, 卷号: 34, 期号: 16
作者:
Jiang, Chengxin
;
Chen, Lingxiu
;
Wang, Huishan
;
Chen, Chen
;
Wang, Xiujun
Adobe PDF(824Kb)
|
收藏
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浏览/下载:523/0
|
提交时间:2023/03/10
Boron nitride
Esters
Graphene
III-V semiconductors
Nitrides
Nucleation
Organic polymers
Silicon carbide
Chemical vapour deposition
Coverage
Domain boundary
Domain size
Graphene films
Hexagonal boron nitride
Mono-layer
Nucleation growth
Property
Vertical growth
Plasma assisted approaches toward high quality transferred synthetic graphene for electronics
期刊论文
NANO EXPRESS;, 2023, 卷号: 4, 期号: 1
作者:
Wang, Yibo
;
Wang, Huishan
;
Jiang, Chengxin
;
Chen, Xipin
;
Chen, Chen
Adobe PDF(1588Kb)
|
收藏
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浏览/下载:147/0
|
提交时间:2023/03/24
CVD graphene
imperfections
plasma
repair
transfer
Gaseous Catalyst Assisted Growth of Graphene on Silicon Carbide for Quantum Hall Resistance Standard Device
期刊论文
ADVANCED MATERIALS TECHNOLOGIES, 2022, 卷号: 8, 期号: 2
作者:
Chen, Lingxiu
Adobe PDF(2743Kb)
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收藏
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浏览/下载:227/0
|
提交时间:2023/01/16
gaseous catalyst
graphene
quantum Hall resistance standard device
silicon carbide
step height
Directional etching for high aspect ratio nano-trenches on hexagonal boron nitride by catalytic metal particles
期刊论文
2D MATERIALS, 2022, 卷号: 9, 期号: 2
作者:
Chen, Chen
;
He, Li
;
Jiang, Chengxin
;
Chen, Lingxiu
;
Wang, Hui Shan
Adobe PDF(928Kb)
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收藏
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浏览/下载:262/0
|
提交时间:2022/03/23
hexagonal boron nitride
nano-trenches
nano-particles
directional etching
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