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545-mA/mm E-mode Recessed-Gate GaN MOSHEMT (Vth > 4V) by Ion Beam Etching 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2024, 卷号: PP, 期号: 99, 页码: 1-1
作者:  Han Gao;  Yitian Gu;  Yu Zhang;  Jialun Li;  Junmin Zhou
Adobe PDF(2787Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：242/1  |  提交时间：2024/04/16
无权访问的条目 学位论文
作者:  李家纶
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Temperature-Driven Gate Geometry Effects in Nanoscale Cryogenic MOSFETs 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2020, 卷号: 41, 期号: 5
作者:  Zewei Wang;  Zhidong Tang;  Ao Guo;  Xin Luo;  Chengwei Cao
Adobe PDF(567Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：937/21  |  提交时间：2020/03/29
Negative regulation of DNMT3A de novo DNA methylation by frequently overexpressed UHRF family proteins as a mechanism for widespread DNA hypomethylation in cancer 期刊论文
CELL DISCOVERY, 2016, 卷号: 2
作者:  Jia, Yuanhui;  Li, Pishun;  Fang, Lan;  Zhu, Haijun;  Xu, Liangliang
Adobe PDF(5421Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1463/433  |  提交时间：2017/12/12
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