消息
×
loading..
中文版 | English

在结果中检索

KMS

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
IN-SITU TEMPERATURE CONTROLLING SAMPLE STAGE CUSTOMIZED FOR COUPLED INTERCONNECTION BETWEEN IN-SITU HIGH-PRESSURE REACTION CELL AND ULTRAHIGH VACUUM CHARACTERIZATION 专利
申请号:US17367526，申请日期: 2023-01-05，类型:发明申请，状态:授权
发明人:  Yong Yang;  Xiaohong Zhou;  Evgeny Vovk;  Jiafeng Zhao
浏览  |  Unknown(605Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：234/5  |  提交时间：2023/01/06
Long-Wavelength InAs/GaSb Superlattice Detectors on InAs Substrates With n-on-p Polarity 期刊论文
IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, 2020, 卷号: 56, 期号: 5
作者:  Jiafeng Liu;  Yan Teng;  Xiujun Hao;  Yu Zhao;  Qihua Wu
Adobe PDF(4219Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：251/2  |  提交时间：2020/07/22
Growth and characterization of InGaAs/InAsSb superlattices by metal-organic chemical vapor deposition for mid-wavelength infrared photodetectors 期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2020, 卷号: 146
作者:  Zhu, Hong;  Chen, Ying;  Zhao, Yu;  Li, Xin;  Teng, Yan
Adobe PDF(838Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：290/3  |  提交时间：2020/11/02
Evaluation of lateral diffusion length in InAs/GaSb superlattice detectors grown by MOCVD 期刊论文
ELECTRONICS LETTERS, 2020, 卷号: 56, 期号: 15, 页码: 785-787
作者:  Yan Teng;  Xiujun Hao;  Yu Zhao;  Qihua Wu;  Xin Li
Adobe PDF(472Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：276/0  |  提交时间：2020/09/01
Demonstration of a Dual-Band InAs/GaSb Type-II Superlattice Infrared Detector Based on a Single Heterojunction Diode 期刊论文
IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, 2020, 卷号: 56, 期号: 2
作者:  Xiujun Hao;  Yan Teng;  Yu Zhao;  Qihua Wu;  Xin Li
Adobe PDF(1619Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：471/1  |  提交时间：2019/12/31
MOCVD growth of InAs/GaSb type-II superlattices on InAs substrates for short wavelength infrared detection 期刊论文
INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2020, 卷号: 105
作者:  Chen, Ying;  Liu, Jiafeng;  Zhao, Yu;  Teng, Yan;  Hao, Xiujun
Adobe PDF(3161Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：293/0  |  提交时间：2020/05/06
Characterization of InAs/GaSb superlattices grown by MOCVD with atomic resolution 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 127, 期号: 4
作者:  Li, Xin;  Cui, Jie;  Zhao, Yu;  Wu, Qihua;  Teng, Yan
Adobe PDF(3073Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：268/0  |  提交时间：2020/03/16
一种用于原位高压反应池与超高真空表征传递联用的原位温控台 专利
申请号:CN201910001787.6，申请日期: 2019-01-02，类型:发明申请，状态:授权
发明人:  杨永;   周晓红;   叶沃;   赵嘉峰
浏览  |  Unknown(395Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：277/2  |  提交时间：2021/06/20
  • 首页
  • 上一页
  • 1
  • 下一页
  • 末页