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A 28-nm 10.4-fJ/b Cryogenic embedded DRAM with 3T1C Gain Cell and MBIST at 4-Kelvin
会议论文
2024 21ST INTERNATIONAL SOC DESIGN CONFERENCE (ISOCC), Sapporo, Japan, 19-22 Aug. 2024
作者:
Jiapei Zheng
;
Xinkai Nie
;
Zhenghang Zhi
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提交时间：2024/12/04
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