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物质科学与技术学院 [2]
作者
李润泽 [2]
翟晓芳 [1]
文献类型
期刊论文 [2]
发表日期
2023 [2]
出处
JOURNAL OF... [1]
JOURNAL OF... [1]
语种
英语 [2]
资助项目
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Interband carrier recombination mechanism in Al-doped ZnO
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS, 2023, 卷号: 56, 期号: 40
作者:
Chen, Conglong
;
Yu, Junxiao
;
Lv, Zefang
;
Zhang, Fengling
;
Wang, Kuidong
Adobe PDF(1789Kb)
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浏览/下载:340/1
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提交时间:2023/08/11
Aluminum compounds
Electron-phonon interactions
Electrons
II-VI semiconductors
Magnetic semiconductors
Oxide semiconductors
Photoconductivity
Semiconducting zinc compounds
Wide band gap semiconductors
Zinc oxide
Al-doped ZnO
Carrier dynamics
Carrier recombination
Doped semiconductors
Heavily doped
Heavily doped semiconductor
Interband
Recombination mechanisms
Semiconductor photoconductive switch
Ultrafast response
Laser-induced coherent longitudinal acoustics phonons in thin films observed by ultrafast optical reflectivity and ultrafast x-ray diffraction
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2023, 卷号: 134, 期号: 10
作者:
Yu, Junxiao
;
Zhang, Haijuan
;
Lv, Zefang
;
Chen, Conglong
;
Li, Runze
Adobe PDF(2764Kb)
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收藏
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浏览/下载:305/1
|
提交时间:2023/10/13
Acoustic impedance
Binary alloys
Heterojunctions
Lanthanum compounds
Laser excitation
Phonons
Reflection
Substrates
X ray diffraction
Crystal material
Femtosecond laser excitation
Laser induced
Longitudinal acoustic phonons
Optical reflectivity
Oscillation periods
Quasiparticles
Thin-films
Ultra-fast
Ultrafast x-ray diffraction
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