消息
×
loading..
中文版 | English

在结果中检索

KMS

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
RESET current optimization for phase change memory based on the sub-threshold slope 期刊论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2019, 卷号: 97, 页码: 11-16
作者:  Wu, Lei;  Chen, Yi-Feng;  Cai, Dao-Lin;  Lu, Yao-Yao;  Guo, Tian-Qi
Adobe PDF(1536Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：518/7  |  提交时间：2019/05/05
Current Controlled Relaxation Oscillations in Ge2Sb2Te5-Based Phase Change Memory Devices 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 33, 期号: 3
作者:  Lu, Yao-Yao;  Cai, Dao-Lin;  Chen, Yi-Feng;  Wang, Yue-Qing;  Wei, Hong-Yang
Adobe PDF(1066Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：464/0  |  提交时间：2017/07/04
Investigation of Data Retention under Current Bias for Phase Change Memory 会议论文
2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, Changzhou City, Jiangsu Province, China
作者:  Lu Yao-Yao;  Cai Dao-Lin;  Chen Yi-Feng;  Wang Yue-Qing;  Wei Hong-Yang
Adobe PDF(509Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：478/0  |  提交时间：2017/07/04
操作电流对相变存储器单元疲劳特性的影响 期刊论文
半导体技术, 2015, 卷号: 40, 期号: 12, 页码: 944-949
作者:  霍如如;  蔡道林;  陈一峰;  王玉婵;  王月青
Adobe PDF(1698Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：290/0  |  提交时间：2022/12/14
  • 首页
  • 上一页
  • 1
  • 下一页
  • 末页