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Spin pumping and transport in the Ni80Fe20/Pt/Co asymmetric trilayer
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2024, 卷号: 110, 期号: 13
作者:
Samdani, Shilpa
;
Rong, Yaqi
;
Coester, Birte
;
Shukla, Amit Kumar
;
Lew, Wen Siang
Adobe PDF(1689Kb)
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浏览/下载：237/3
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提交时间：2024/11/19
Acoustic spectroscopy
Activation energy
Chemical shift
Cobalt
Electromagnetic fields
Electromagnetic induction
Exchange coupling
Ferrimagnetic resonance
Ferromagnetic resonance
Ferromagnetism
Magnetization
Magnetometry
Magnetrons
Negative temperature coefficient
Nickel
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Palladium
Palladium alloys
Palladium compounds
Platinum
Platinum alloys
Positive temperature coefficient
Ruthenium compounds
Spin dynamics
X ray absorption spectroscopy
Coupling condition
Ferromagnetics
Indirect exchange coupling
Nonmagnetic metals
Property
Spacer thickness
Spin transport
Spin-pumping
Spintronics application
Trilayers
Investigation of Spin-Pumping and -Transport in the Ni80Fe20/Pt/Co Asymmetric Trilayer
预印本
2024
作者:
Samdani, Shilpa
;
Rong, Yaqi
;
Coester, Birte
;
Shukla, Amit Kumar
;
Siang, Lew Wen
Adobe PDF(1394Kb)
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浏览/下载：243/1
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提交时间：2024/05/15
Influence of Localized Hot Carrier Degradation in DSOI Device Operating in MOSFET and BJT Modes
会议论文
2024 8TH IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY & MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM), Bangalore, India, 3-6 March 2024
作者:
Yijun Qian
;
Yuan Gao
;
Amit Kumar Shukla
;
Tao Wu
;
Zhiqiang Mu
Adobe PDF(1028Kb)
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浏览/下载：324/4
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提交时间：2024/05/17
Hot carrier degradation
DSOI
MOSFET
BJT
Compensation of Hot Carrier Degradation Enabled by Forward Back Bias in π-GAA-π MOSFET
期刊论文
IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2023, 卷号: 11, 页码: 319-324
作者:
Yijun Qian
;
Qiang Liu
;
Jialun Yao
;
Xiaowei Wang
;
Amit Kumar Shukla
Adobe PDF(4964Kb)
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浏览/下载：444/2
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提交时间：2023/06/30
High electron mobility transistors
III-V semiconductors
Leakage currents
MOSFET devices
Silicon on insulator technology
Aging compensation
Back bias
Biasing techniques
Forward back biasing technique
Hot carrier degradation
MOS-FET
MOSFETs
Off-state leakage current
Performances evaluation
Silicon-on-insulator MOSFETs
Analysis of Abnormal GIDL Current Degradation Under Hot Carrier Stress in DSOI-MOSFETs
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2022, 卷号: 69, 期号: 11
作者:
Qian, Yijun
;
Gao, Yuan
;
Shukla, Amit Kumar
;
Sun, Lu
;
Zou, Xinbo
Adobe PDF(3370Kb)
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浏览/下载：513/1
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提交时间：2022/10/08
Stress
Logic gates
MOSFET
Electron traps
Degradation
Hot carriers
Market research
Gate-induced drain leakage (GIDL) current
hot carrier stress (HCS)
parasitic bipolar transistor (PBT)
Optimal Spin Polarization for Spin-Orbit-Torque Memory and Oscillator
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2022, 卷号: 69, 期号: 4
作者:
Zhenxiao Fu
;
Amit Kumar Shukla
;
Zhiqiang Mu
;
Kai Lu
;
Yemin Dong
Adobe PDF(2805Kb)
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浏览/下载：308/0
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提交时间：2022/01/29
Magnetization dynamics
spin current
spin polarization
spin-orbit torque
Modeling of Hot Carrier Injection on Gate-Induced Drain Leakage in PDSOI nMOSFET
会议论文
2021 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON INTEGRATED CIRCUITS, TECHNOLOGIES AND APPLICATIONS, ICTA 2021, Zhuhai, China, November 24, 2021 - November 26, 2021
作者:
Qian, Yijun
;
Gao, Yuan
;
Shukla, Amit Kumar
Adobe PDF(2430Kb)
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浏览/下载：387/1
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提交时间：2022/07/01
Drain current
MOSFET devices
Silicon on insulator technology
Threshold voltage
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Gate induced drain leakage currents
Gate induced drain leakages
Hot carrier injection
Injection conditions
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