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Integrated Artificial Neural Network with Trainable Activation Function Enabled by Topological Insulator-Based Spin-Orbit Torque Devices
期刊论文
ACS NANO, 2024, 卷号: 18, 期号: 43
作者:
Huang, Puyang
;
Liu, Xinqi
;
Xin, Yue
;
Gu, Yu
;
Lee, Albert
Adobe PDF(1834Kb)
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浏览/下载:532/16
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提交时间:2023/09/24
spin-orbit torque
anomalous Hall effect
topological insulator
van der Waals ferromagnet
artificial neural network
A Lightweight Post-Processing Method for Voltage-Controlled MTJ Based True Random Number Generator.
会议论文
2024 IEEE THE 20TH ASIA PACIFIC CONFERENCE ON CIRCUITS AND SYSTEMS, Taipei, Taiwan, 11-07~11-09
作者:
Zirui Wang
;
Renhe Chen
;
Yu Gu
;
Albert Lee
;
Di Wu
Adobe PDF(914Kb)
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浏览/下载:267/9
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提交时间:2024/12/05
Cryptography, Magnetic Tunnel Junction, true random number generator, non-cryptographic hash function
Voltage-Controlled Magnetoelectric Devices for Neuromorphic Diffusion Process
预印本
2024
作者:
Cheng, Yang
;
Shu, Qingyuan
;
Lee, Albert
;
He, Haoran
;
Zhu, Ivy
Adobe PDF(2387Kb)
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浏览/下载:319/3
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提交时间:2024/08/14
A 12-bit 75 MS/s Asynchronous SAR ADC with Gain-Boosting Dynamic Comparator
会议论文
IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON CIRCUITS AND SYSTEMS (ISCAS), Singapore, Singapore, 19-22 May 2024
作者:
Chen, Renhe
;
Lee. Albert
;
Hu, Yongqi
;
Xu, Hao
;
Kou, Xufeng
Adobe PDF(1115Kb)
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浏览/下载:468/2
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提交时间:2023/11/22
Analog to digital conversion
Approximation theory
Comparator circuits
Computer circuits
Digital to analog conversion
Energy efficiency
Feedback
Frequency converters
Signal to noise ratio
Analog to digital converters
Asynchronous logic
Dynamic comparators
Gain boosting
High gain
Integration phase
Low delay
Pre-amplifiers
Successive approximation register
Successive approximation register analog-to-digital converter
Interfacial Resonance States-Induced Negative Tunneling Magneto-Resistance in Orthogonally Magnetized CoFeB/MgO/CoFeB
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 2024, 卷号: 60, 期号: 3, 页码: 1-6
作者:
Puyang Huang
;
Aitian Chen
;
Jianting Dong
;
Di Wu
;
Xinqi Liu
Adobe PDF(1265Kb)
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浏览/下载:1480/6
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提交时间:2023/09/24
First-principle calculation
interfacial resonant state
magnetic tunnel junction (MTJ)
negative tunneling magneto-resistance (TMR)
Cobalt compounds
Iron compounds
Magnesia
Magnetic anisotropy
MRAM devices
Tunnel junctions
Tunnelling magnetoresistance
First principle calculations
Interfacial resonant state
Magnetic tunneling
Magnetic tunneling junctions
Magnetic-field
Negative tunneling magneto-resistance
Perpendicular magnetic anisotropy
Resistance
Resonant state
Tunneling magnetoresistance
A Read Margin Enhancement Circuit With Dynamic Bias Optimization for MRAM
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS II: EXPRESS BRIEFS, 2024, 卷号: PP, 期号: 99, 页码: 3905-3909
作者:
Chen, Renhe
;
Lee, Albert
;
Wang, Zirui
;
Wu, Di
;
Kou, Xufeng
Adobe PDF(2470Kb)
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浏览/下载:452/7
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提交时间:2023/11/22
Magnetic random access memory
read margin enhancement
tunneling magnetoresistance ratio
readout mechanism
bias voltage optimization
Interfacial Resonance States-Induced Negative Tunneling Magneto-resistance in Orthogonally-Magnetized CoFeB/MgO/CoFeB
预印本
2023
作者:
Huang, Puyang
;
Chen, Aitian
;
Dong, Jianting
;
Wu, Di
;
Liu, Xinqi
Adobe PDF(1485Kb)
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浏览/下载:281/2
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提交时间:2024/06/03
Chromosome-level genome of Schistosoma haematobium underpins genome-wide explorations of molecular variation
期刊论文
PLOS PATHOGENS, 2022, 卷号: 18, 期号: 2
作者:
Stroehlein, Andreas J.
;
Korhonen, Pasi K.
;
Lee, V. Vern
;
Ralph, Stuart A.
;
Mentink-Kane, Margaret
Adobe PDF(2884Kb)
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提交时间:2022/05/31
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