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Influence of Localized Hot Carrier Degradation in DSOI Device Operating in MOSFET and BJT Modes 会议论文
2024 8TH IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY & MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM), Bangalore, India, 3-6 March 2024
作者:  Yijun Qian;  Yuan Gao;  Amit Kumar Shukla;  Tao Wu;  Zhiqiang Mu
Adobe PDF(1028Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：324/4  |  提交时间：2024/05/17
Compensation of Hot Carrier Degradation Enabled by Forward Back Bias in π-GAA-π MOSFET 期刊论文
IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2023, 卷号: 11, 页码: 319-324
作者:  Yijun Qian;  Qiang Liu;  Jialun Yao;  Xiaowei Wang;  Amit Kumar Shukla
Adobe PDF(4964Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：442/2  |  提交时间：2023/06/30
Analysis of Abnormal GIDL Current Degradation Under Hot Carrier Stress in DSOI-MOSFETs 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2022, 卷号: 69, 期号: 11
作者:  Qian, Yijun;  Gao, Yuan;  Shukla, Amit Kumar;  Sun, Lu;  Zou, Xinbo
Adobe PDF(3370Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：513/1  |  提交时间：2022/10/08
Optimal Spin Polarization for Spin-Orbit-Torque Memory and Oscillator 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2022, 卷号: 69, 期号: 4
作者:  Zhenxiao Fu;  Amit Kumar Shukla;  Zhiqiang Mu;  Kai Lu;  Yemin Dong
Adobe PDF(2805Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：308/0  |  提交时间：2022/01/29
An Overview of Spintronic True Random Number Generator 期刊论文
FRONTIERS IN PHYSICS, 2021, 卷号: 9
作者:  Fu, Zhenxiao;  Tang, Yi;  Zhao, Xi;  Lu, Kai;  Dong, Yemin
Adobe PDF(605Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：246/1  |  提交时间：2021/05/28
Resistivity and Radio-Frequency Properties of Two-Generation Trap-Rich Silicon-on-Insulator Substrates 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 35, 期号: 4
作者:  Zhu, Lei;  Chang, Yong-Wei;  Gao, Nan;  Su, Xin;  Dong, YeMin
Adobe PDF(1432Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：532/1  |  提交时间：2018/06/13
Effects of Low Boron Concentration on Electrical Properties of Commercial Trap-Rich High Resistivity SOI Substrate 期刊论文
ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 7, 期号: 2, 页码: P35-P37
作者:  Zhu, Lei;  Chang, Yongwei;  Gao, Nan;  Su, Xin;  Dong, Yemin
Adobe PDF(603Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：495/1  |  提交时间：2018/04/11
0.13 μm SOI标准单元库抗总剂量辐射的测试验证 期刊论文
半导体技术, 2017, 卷号: 42, 期号: 06, 页码: 469-474
作者:  卢仕龙;  刘汝萍;  林敏;  俞跃辉;  董业民
Adobe PDF(1190Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：443/0  |  提交时间：2022/12/14
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