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一种LED芯片及其制备方法 专利
申请号:CN202411715773.8,申请日期: 2025-02-28,类型:发明申请,状态:实质审查
发明人:  闫晓密;  宋艳汝;  张雁冰;  高颖杰;  吴昊天
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一种超薄、超高Tc、应力可控的氮化铌薄膜的制备方法 专利
申请号:CN202410761985.3,申请日期: 2024-08-20,类型:发明申请,状态:实质审查
发明人:  宋艳汝;  闫晓密;  彭鹏飞;  翁思远;  张妍亭
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一种超导薄膜器件及其制备方法 专利
申请号:CN202410698990.4,申请日期: 2024-08-16,类型:发明申请,状态:实质审查
发明人:  宋艳汝;  彭鹏飞;  闫晓密;  张妍亭;  翁思远
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Broadband Organic Ternary Bulk Heterojunctions Photodetector Based on Non-Fullerene Acceptor with Enhanced Flat-Spectrum Response Range from 200 to 1100 nm 期刊论文
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY LETTERS, 2022
作者:  Weng, Siyuan;  Zhao, Man;  Jiang, Dayong;  Liang, Qingcheng
Adobe PDF(9512Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:252/0  |  提交时间:2022/11/22
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