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浏览/检索结果: 共25条，第1-10条 帮助

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Effect of 5 MeV proton irradiation on electrical and trap characteristics of β-Ga2O3 power diode 期刊论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2025, 卷号: 187
作者:  Qu, Haolan;  Huang, Wei;  Zhang, Yu;  Sui, Jin;  Yang, Ge
Adobe PDF(6465Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：300/4  |  提交时间：2024/11/29
ZrO2/β-Ga2O3 MOS器件的界面态和体陷阱物性研究 会议论文
第一届氧化镓技术与产业研讨会
作者:  陈嘉祥;  屈昊岚;  睢金;  卢星;  邹新波
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2025/04/02
无权访问的条目 学位论文
作者:  睢金
Adobe PDF(3027Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2025/02/01
Reliable electrical performance of β-Ga2O3 Schottky barrier diode at cryogenic temperatures 期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY A: VACUUM, SURFACES AND FILMS, 2024, 卷号: 42, 期号: 2
作者:  Qu, Haolan;  Huang, Wei;  Zhang, Yu;  Sui, Jin;  Chen, Jiaxiang
Adobe PDF(3333Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：333/3  |  提交时间：2024/02/23
Relaxation kinetics of interface states and bulk traps in atomic layer deposited ZrO2/β-Ga2O3 metal-oxide-semiconductor capacitors 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2024, 卷号: 135, 期号: 8
作者:  Chen, Jiaxiang;  Qu, Haolan;  Sui, Jin;  Lu, Xing;  Zou, Xinbo
Adobe PDF(3256Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：396/44  |  提交时间：2024/03/22
Emission and capture characteristics of deep hole trap in n-GaN by optical deep level transient spectroscopy 期刊论文
JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2024, 卷号: 45, 期号: 3
作者:  Jin Sui;  Jiaxiang Chen;  Haolan Qu;  Yu Zhang;  Xing Lu
Adobe PDF(4177Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：274/0  |  提交时间：2024/04/06
Investigation of interface and bulk traps in ZrO2/β-Ga2O3 metal-oxide-semiconductor capacitors 会议论文
2024 THE 18TH NATIONAL CONFERENCE ON MOCVD (MOCVD)
作者:  Qu, Haolan
收藏  |  浏览/下载：111/0  |  提交时间：2024/12/01
Emission and Capture Kinetics of Minority Carrier Trap in GaN Devices by Optical DLTS 会议论文
THE 14TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS 2023)
作者:  Chen, Jiaxiang;  Jin Sui;  Qu, Haolan;  Zou, Xinbo
收藏  |  浏览/下载：909/0  |  提交时间：2023/11/17
Investigation of a minority carrier trap in a NiO/β-Ga2O3p–n heterojunction via deep-level transient spectroscopy 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2023, 卷号: 38, 期号: 10, 页码: 105010
作者:  Qu, Haolan;  Chen, Jiaxiang;  Zhang, Yu;  Sui, Jin;  Zhang, Ruohan
Adobe PDF(999Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：282/0  |  提交时间：2023/09/23
Neutron Irradiation Induced Carrier Removal and Deep-Level Traps in N-Gan Schottky Barrier Diodes 会议论文
CHINA SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INTERNATIONAL CONFERENCE (CSTIC 2023), Shanghai, China, 26-27 June 2023
作者:  Jin Sui;  Jiaxiang Chen
Adobe PDF(753Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：305/1  |  提交时间：2023/09/23
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