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| 一种专用的硅基片上光衍射神经网络 专利
申请号:CN202310077780.9，申请日期: 2024-07-16，类型:发明申请，状态:实质审查
发明人: 景友亮 ; 周平强; 邹毅
 Adobe PDF(551Kb) |  收藏 | 浏览/下载：317/6 | 提交时间：2024/07/16 |
| 可重构的硅基片上光衍射神经网络 专利
申请号:CN202310078586.2，申请日期: 2024-07-16，类型:发明申请，状态:实质审查
发明人: 景友亮; 周平强; 邹毅
Adobe PDF(516Kb) | 收藏 | 浏览/下载：319/4 | 提交时间：2024/07/16 |
| 面向衍射光学设计自动化的电磁仿真方法以及系统 专利
申请号:CN202310077756.5，申请日期: 2023-06-23，类型:发明申请，状态:实质审查
发明人: 景友亮; 周平强
Unknown(834Kb) | 收藏 | 浏览/下载：318/0 | 提交时间：2023/06/23 |
| Machine Learning-Based Device Modeling and Performance Optimization for FinFETs 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS II: EXPRESS BRIEFS, 2023, 卷号: 70, 期号: 4, 页码:
1585-1589
作者: Huifan Zhang; Youliang Jing; Pingqiang Zhou
Adobe PDF(1665Kb) | 收藏 | 浏览/下载：307/3 | 提交时间：2023/04/28 |
| The study of TSV-induced and strained silicon-enhanced stress in 3D-ICs 期刊论文
INTEGRATION, 2023, 卷号: 88, 页码:
196-202
作者: Zhou, Jindong; Chen, Yuyang; Jing, Youliang; Zhou, Pingqiang
Adobe PDF(2005Kb) | 收藏 | 浏览/下载：401/3 | 提交时间：2022/11/04
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| 模型训练方法、工艺诊断方法、装置及存储介质 专利
申请号:CN202110496674.5，申请日期: 2022-11-08，类型:发明申请，状态:实质审查
发明人: 景友亮; 周平强
Unknown(710Kb) | 收藏 | 浏览/下载：333/0 | 提交时间：2022/11/08 |
| Parasitic Capacitance Modeling of Si-Bulk FinFET-Based pMOS 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 卷号: 68, 期号: 10, 页码:
4819-4825
作者: Youliang Jing; Jindong Zhou; Pingqiang Zhou
Adobe PDF(1812Kb) | 收藏 | 浏览/下载：317/0 | 提交时间：2021/10/15
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| The Study of TSV-Induced and Strained Silicon-Enhanced Stress in 3D-IC 会议论文
CHINA SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INTERNATIONAL CONFERENCE (CSTIC) 2021, Shanghai, China, 14-15 March 2021
作者: Jindong Zhou; Youliang Jing; Pingqiang Zhou
Adobe PDF(345Kb) | 收藏 | 浏览/下载：351/6 | 提交时间：2021/05/30
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| A Crystalline Polyimide Porous Organic Framework for Selective Adsorption of Acetylene over Ethylene 期刊论文
JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY, 2018, 卷号: 140, 期号: 46, 页码:
15724-15730
作者: Jiang, Lingchang; Tian, Yuyang; Sun, Tu; Zhu, Youliang; Ren, Hao
Adobe PDF(5428Kb) | 收藏 | 浏览/下载：685/10 | 提交时间：2018/11/12 |
