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研究单元&专题
物质科学与技术学院 [1]
作者
俞跃辉 [1]
卢仕龙 [1]
文献类型
期刊论文 [1]
发表日期
2017 [1]
出处
半导体技术 [1]
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中文 [1]
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收录类别
CSCD [1]
北大核心 [1]
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0.13 μm SOI标准单元库抗总剂量辐射的测试验证
期刊论文
半导体技术, 2017, 卷号: 42, 期号: 06, 页码: 469-474
作者:
卢仕龙
;
刘汝萍
;
林敏
;
俞跃辉
;
董业民
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提交时间:2022/12/14
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