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作者
邹新波 [1]
朱雷 [1]
周隽民 [1]
郭好文 [1]
文献类型
期刊论文 [2]
发表日期
2021 [1]
2018 [1]
出处
IEEE MICRO... [2]
语种
英语 [1]
资助项目
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收录类别
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Output Phase and Amplitude Analysis of GaN-based HEMT at Cryogenic Temperatures
期刊论文
IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS, 2021, 卷号: 31, 期号: 11, 页码: 1219-1222
作者:
Haowen Guo
;
Junmin Zhou
;
Maojun Wang
;
Xinbo Zou
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浏览/下载:367/2
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提交时间:2021/05/26
Amplitude compression
cryogenic temperature
gallium nitride (GaN)
high electron-mobility transistor (HEMT)
phase compression
RF Characteristics of Two Generations of RFeSI HR-SOI Substrates Over Temperature
期刊论文
IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS, 2018, 卷号: 28, 期号: 5
作者:
Lei Zhu
;
Shuangke Liu
;
Frederic Allibert
;
Ionut Radu
;
Xinen Zhu
Adobe PDF(777Kb)
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浏览/下载:545/2
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提交时间:2018/06/13
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